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2024-03-30 发布于四川
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低温高深宽沟槽的填充方法.pdf

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本发明公开了一种低温高深宽沟槽的填充方法，包括：步骤一：将带有沟槽的衬底清洗后传送至ICPCVD腔室，进行预加热；步骤二：通入填充物的反应气体和液态源并稳定腔压，打开射频电源开始沉积膜层，结束后关闭射频电源及反应气体和液态源，并通入N2进行吹扫；步骤三：对步骤二沉积的薄膜进行RPS清洗，以同时对腔室进行清洗，并减少已沉积的薄膜对衬底上沟槽的槽口附近的封口程度，槽口减小的厚度小于步骤一中薄膜沉积的厚度；步骤四：取出样品，清理ICPCVD腔室；重复步骤一至四，直至图形化衬底上的微米级沟槽完成填充。由

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117778998A

(43)申请公布日2024.03.29

(21)申请号202211142890.0

(22)申请日2022.09.20

(71)申请人江苏鲁汶仪器有限

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