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超深亚微米CMOS标准单元库设计与实现的任务书

任务名称：超深亚微米CMOS标准单元库设计与实现

任务目标：设计和实现一套适用于超深亚微米工艺的标准单元库，使其能够满足先进工艺的要求，并能够在普遍的EDA工具中使用。

任务内容：

-调研先进工艺下标准单元库的设计和实现技术，深入了解超深亚微米工艺下的设备特性和工艺流程，分析当前市场上流行的EDA软件工具，确定一套合适的设计和实现方案。

-根据调研结果，制定标准单元库的技术方案，包括设计规则、版图和电路模型等，并结合工艺流程、工艺限制等因素进行综合考虑，最终确定制作标准单元库的详细工艺流程。

-基于上述技术方案，进行标准单元库的设计和版图布局，在设计规则约束下生成完整的标准单元库版图，并进行电路模拟验证，确保电路的正确性和可靠性。

-对标准单元库进行物理实现，根据设计原理图进行电路验证、版图布局、布线等操作，制作出一个完整的标准单元库，同时对相应的电路参数进行测量和测试，以验证其性能指标符合设计要求。

-对物理实现的标准单元库进行验证和评估，并进行必要的优化和调整，以确保其能够在各种工艺参数下正常使用，并满足前期制定的技术方案和设计要求。

-将完成的标准单元库输出到常见的EDA软件工具中，并进行相关的文档、教程编写等任务，以方便用户使用和操作。

任务成果：

-一套针对超深亚微米工艺的标准单元库，能够在各种工艺参数下正常使用，性能指标符合设计要求。

-标准单元库的电路模型和版图可以被常见的EDA软件工具所识别和使用。

-标准单元库的设计和实现技术方案、制作工艺流程等的文档和教程。

-相关性能指标测试数据和实验报告。

任务周期：6个月

任务团队：需要由至少2名电子工程师和1名工艺工程师组成。