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本公开是关于半导体技术领域，涉及一种电路结构及其形成方法、存储器，该电路结构包括第一换层组件、第二换层组件及耦合焊盘，其中：第一换层组件包括第一换层部、第一焊盘和第二焊盘，第一换层部包括第一换层孔，第一焊盘和第二焊盘分别连接于第一换层孔的两端；第二换层组件包括第二换层部、第三焊盘和第四焊盘，第二换层部包括第二换层孔，第三焊盘和第四焊盘分别连接于第二换层孔的两端，第二换层孔与第一换层孔平行分布；耦合焊盘包括第一耦合焊盘，第一耦合焊盘包括第一内孔和第二内孔，第一内孔与第二内孔通过第一连接通道连通，第
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117787197A
(43)申请公布日2024.03.29
(21)申请号202211160986.X
(22)申请日2022.09.22
(71)申请人长鑫存储技术有限公司
地址23
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