第3章-双极结型晶体管(二).pptVIP

5.4其他工作模式和少子分布双极晶体管有四种工作模式，取决于发射结和集电结的偏置状况。(1)正向有源工作模式：?0，?0

(2)反向有源工作模式：0，0(3)饱和工作模式：?0，?0(4)截止工作模式:0，05.4.1工作模式和少子分布基区少子满足的边界条件为相应的边界条件为:相应的边界条件为:相应的边界条件为:0正向有源饱和截止反向有源图5-14晶体管四种不同工作模式对应的少数载流子分布5.4其他工作模式和少子分布如果把基极电流IB从基极引线经非工作基区流到工作基区所产生的电压降，当作是由一个电阻产生的，则称这个电阻为基极扩展电阻，用rbb’表示。由于基区很薄，rbb’的截面积很小，使rbb’的数值相当可观，对晶体管的特性会产生明显的影响。工作基区：指正对着发射区下方的在WB范围内的基区，也称为有源基区或内基区。非工作基区：指在发射区下方以外从表面到xjc处的基区，也称为无源基区或外基区。5.6基区扩展电阻和电流集聚1.基区扩展电阻和电流集聚5.6基区扩展电阻和电流集聚有源电阻和无源电阻1.基区扩展电阻和电流集聚电流集聚效应：少数载流子的注入从基区边缘起随着向内的深度而下降。非均匀载流子的注入使得沿着发射结出现非均匀的电流分布。造成在靠近边缘处有更高的电流密度，这种现象称为电流集聚效应2.中功率双极晶体管交叉指状电极图形的俯视图图5-18中功率双极晶体管指状交叉图形的俯视图5.6基区扩展电阻和电流集聚分析：交叉指状电极能有效克服电流集聚效应？5.7基区宽度调变效应1.问题的提出图5-8（b）共发射极情形前面的讨论中默认有效基区宽度是不变的，实际上是集电结偏压的函数。（3-60）共发射极电流增益正比于，当增加时，集电结空间电荷区展宽，使有效基区宽度减小，如图3-21所示。减小使增加，从而集电极电流将随的增加而增加。5.7基区宽度调变效应2.基区宽度调变效应的分析：的变化：1)的变化：2）5.8晶体管的频率响应2.电流增益与频率的关系称为晶体管的频率响应：图3-22电流增益作为频率的函数1.小信号的共基极和共发射极电流增益定义为：⑴共基极截止频率：的大小下降为0.707（即的模量的平方等于的一半或者说下降3dB）时的频率。⑵共发射极截止频率：的大小下降为0.707（下降3dB）时的频率。和也称为3dB频率。⑶增益?带宽乘积，它是的模量变为1时的频率，也叫做特征频率。相对频率的曲线的斜率为20dB/十进位，它可用下式来描述（5-62）可见在，的大小为0.707相对频率的曲线的斜率为20dB/十进位，在时的大小下降3dB，因而也称为3dB频率。5.8晶体管的频率响应图中的各种频率定义为：利用和之间的关系求得（5-63）式中是模量为1时的频率，由（5-63）式，取，有，（5-65）由于是晶体管共射极接法工作的截止频率即带宽，故称为增益带宽乘积。5.8晶体管的频率响应低得多。再由以上讨论说明共发射极截止频率要比5.8晶体管的频率响应（5-66）（5-67）1）基区渡越时间假设基区少数载流子电子以有效速度渡越基区，则基区电子电流为一个电子渡过基区所需要的时间（5-68）5.8晶体管的频率响应3.晶体管中的时间延迟四个最重要的因素：根据（5-55）式（5-69）（5-70）小的意味着短的信号延迟或高的工作频率。5.8晶体管的频率响应对于均匀基区晶体管