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Royer线路动作原理介绍

DC/DC基本原理﹕是通过三极管(或MOS-FET)的开和关,控制工作频率把一种直流转换成另一种直流的变换器.

一﹑DC/DC转换器电路分类如下﹕

1. 推挽式:﹕Royer (0.3W~~~3W)

2. 自激式﹕RCC (1W~~~50W)

返弛式﹕Fly-back (15W~~200W)

正向式﹕Forward (3W~~100W)

二﹑主要优缺点:

1﹑主要优点﹕驱动电路简单

2﹑在实用中有以下几个缺点﹕

(1)会因心饱和出现集电极电流尖峰导致晶体管损坏。(2)高频变压器利用率差

(3)对功率晶体管耐压要求高

四﹑Royer线路机种

DIP﹕B1,B2,B3,B4,B5,BA,BC,CA,UM,CF

SMD﹕SM1,ST1,CS

三﹑Royer线路原理框图

輸入 輸出

濾波 開關電路 整流電路 濾波電路

驅動電路 輸出檢測

五﹑Royer路原理

电路原理：（以CEUS0509的线路作为实例解说）

Royer的电路架构，原属西屋公司的专利，目前已经过期，一般称为：电子变压器，它是利用Q1、Q2及变压器饱和的原理，使初级侧产生Duty=50%的方波，利用变压器N1：N2＝V1：V2的圈比关系，使次级端产生感应电压，当需要输出电压大一点，就把次级圈数绕多一点…….，基本电路如下：

(a).线路图

(b).铁心的B-H曲线

此處的面積大小與損失成正比

(c).施加于变压器N1、N2电感上的电压与磁通密度

電壓值＊時間的面積與磁通密度成正比 磁通密度與電壓的積分成正比

電壓值＊時間的面積與磁通密度成正比

磁通密度與電壓的積分成正比

T0

T1

令磁通为Φ，加在绕组N圈上的电压V，根据法拉第定律，可以下式表示：

V=N*（dΦ／dt） （2-12）

将上式两边以半周期积分运算（所谓积分就是算这半周期T0~T1之电压

*时间的面积，就是常说的E-T常数），令Φ＝B*Ae（磁通量＝磁通密度*截面积），则其公式如下：

(1／N)*∫V*dt=Ae*[B] (+B=-B) （2-13）

积分的时间t系介于0～T／2（T0～T1）半个周期之内，此期间内之磁通密度变化，介于─B～＋B的2B范围内，由式子（2-13）可以求得

(V*T)／(2*N)=2*Ae*B （2-14）

V=4*N*Ae*B／T （2-15）

∵T＝2*TON (Duty50%)及f＝1／T

V=2*N*Ae*B／TON （2-15）

V=4*N*Ae*B*f （2-16）

N=（V*TON）／（2*Ae*B） （2-17）

上式若磁通密度的单位为高斯（Gauss），Ae的单位为cm2，则（2-16）式又可写作：

V=4*N*Ae*B*f*10-8 （2-18）

Q1启动：

输入+5V经由R1=N5、N6后分别接到Q1、Q2的基极（Base)，假设Q1

的VBE比较小，Q1先ON，启始IB电流流进Q1基极。

此时Q1的集极（Collector）因为输入＋5V早已经过N1而跨接＋5V等着，

当Q1Base有IB1时，利用晶体β值的关系，而使IC1＝βIB1N1=Q1=GND-P

于是电流从+5V=

，

请注意N1、N5的起绕点，因为极性的关系，当N1的电流增加，N5的电流也跟着增加，于是Q1很快的进入饱和区

Q1保持ON的时间，由变压器的N1圈数决定…….TON=（2*BMAX

*Ae*Np）／VIN

输入电压与Q1的波形比较：（电压低=TON大，电压高=TON小）当Q1ON时，初、次级电流路径如下图所示：

流过Q1的最大电流＝βIB1，而IB1的大小则由R1与N5决定（它是一条串连回路），N5越多圈，IB1就越大，请试绕一下就会了解），Q1很快进入饱和区。其它半导体的工作说明如下：

Q2因为N6的极性关系，好像在Q2的VBE加逆电压，使Q2进入截区

次级N3的极性允许电流流经D1A，使N3的感应电压如下：（忽略Q1之

VCE、D1A之VF）

VN3＝5V＊（N3／N1）＝5＊（23／11）＝10.45V（实际考虑半导体压降时会更低）

C3上的电压＝VN3─VD1A＝10.45