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《半导体光电子学》期末复习纲要
一、基本概念与名词解释:
第一章:
1、光子学说的几个基本概念:相格、光子简并度等;
2、微观粒子的四个统计分布规律:麦克斯韦速率分布率、波耳兹曼分布率、费米分布率、
玻色分布率;
3、热辐射和黑体辐射的几个概念:热辐射、朗伯体、视见函数、普朗克式;
4、简述辐射跃迁的三种过程:自发辐射、受激吸收、受激辐射;
5、谱线加的类型及定义:均匀加、非均匀加、碰撞加。
第二章:
1、一般概念:激发态能级寿命、亚稳态能级、粒子数反转、负温度、激活介质、增益饱和;
2、三能级系统、四能级系统的粒子数反转的形成过程;
3、关于介质中的烧孔效应、气体激光器中的烧孔效应的论述。
第三章:
1、激光的几个特性:包括时间相干性、空间相干性、相干时间、相干长度、相干体积、光
子简并度;
2、有关谐振腔的基本概念:谐振腔、稳定腔、不稳定腔、介稳腔;
3、激光振荡的几个现象和过程:模的竞争、空间烧孔、兰姆凹陷、频率牵引、高斯光束、
激光器最佳透过率。
第四章:
1、光波导的几个基本概念:平板波导、矩形波导、光纤、导模、辐射模、阶跃型光纤、渐
变型光纤、子午线、子午面、斜光线、吸收损耗、散射损耗、弯曲损耗、材料色散、波导色
散、模间色散。
第五章:
1、有关光吸收的几个基本概念:本征吸收、晶格振动吸收、自由载流子吸收、激子吸收、
杂质吸收;
2、光探测的一些基本效应:光电效应、光热效应、外光电效应、光电导效应、光电导驰豫、
逸出功、电子亲和势、光伏效应、热释电效应、测辐射热计效应、温差电效应、帕尔帖效应、
塞贝克效应、汤姆逊效应。
二、理论推导与证明:
第二章:
1、粒子数密度的差值(式2-1-17,2-1-22);
2、均匀加与非均匀加的小信号增益系数(式2-2-14,2-2-15);
3、均匀加与非均匀加情况下的大信号反转粒子数密度、烧孔面积(式2-3-3,2-3-7);
4、均匀加与非均匀加情况下的大信号增益系数(式2-3-10,2-3-17);
第三章:
1、普通光源相干时间与相干面积(式3-1-5,3-1-12);
2、激光产生的阈值条件(式3-3-11);
3、粒子数密度的差值的阈值(式3-3-18);
4、均匀加情况单模激光器的输出功率与最佳透过率(式3-6-9);
5、非均与加情况单模激光器的输出功率(式3-6-18)。
第四章:
1、全反射的相移(式4-1-9,4-1-10);
2、模方程(式4-2-5);
、导模的截止条件,包括模式数量、截止频率、截止厚度、单模的厚度条件(式,,
34-2-94-2-10
4-2-11,4-2-13);
4、阶跃型光纤的数值孔径(式4-5-7);
5、阶跃型光纤中子午线的最大时延差(式4-5-14);
6、渐变型光纤的数值孔径(式4-5-31);
7、光纤中的群速度与时延差(式4-7-9);
8、光纤中的材料色散导致的时延差(式4-7-17)。
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