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一种PTC热敏电阻元件加工工艺.pdfVIP

一种PTC热敏电阻元件加工工艺.pdf

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    本发明公开了一种PTC热敏电阻元件加工工艺，包括以下步骤：S1，原料准备：分别准备59％HDPE高密度聚乙烯、10％CB碳黑材料和10％半导体导热陶瓷粉末；S2，高分子混炼：将S1中原料按体积百分比加入双螺杆混练机中进行预混、混炼，得到导电聚合物；S3，薄片成型，混炼得到导电聚合物通过热压机压成薄片，将该薄片切成约20公分×20公分的正方形；S4，基材成型，通过热压机将两镀镍铜箔贴合至S3中的薄片两面，形成基材；S5，PCT芯片成型，将基材经过照光50kgy，通过冲床冲压出PTC芯片，组装成PT

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN115331902A

    (43)申请公布日2022.11.11

    (21)申请号202210585081.0

    (22)申请日2022.05.26

    (71)申请人昆山聚达电子有限公司

    地址215

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