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本申请实施例提供了一种SiCMOSFET器件及SiCMOSFET器件的制备方法。SiCMOSFET器件，包括：SiC衬底；形成在所述SiC衬底之上的外延层；形成在外延层之上预设位置的栅氧化层，所述栅氧化层包括第一栅氧化部和第二栅氧化部；其中，所述第一栅氧化部通过高温氧化工艺形成在所述外延层的沟道区域之上，所述第二栅氧化部为栅氧化层中第一栅氧化部以外的部分，且第二栅氧化部通过化学气相沉积工艺形成。本申请实施例解决了传统的SiCMOSFET器件因高温氧化制备的栅氧化层的存在，使得迁移率较低，
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117810262A
(43)申请公布日2024.04.02
(21)申请号202311669997.5
(22)申请日2023.12.07
(71)申请人苏州龙驰半导体科技有限公司
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