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本发明公开了一种基于vOECT阵列的高密度复合离子检测装置及制备方法。装置包括vOECT阵列、离子检测层和外部电路探针；vOECT阵列由基板、源极线、半导体层、漏极线和封装层组成，用于检测离子浓度并增强离子信号；离子检测层包括离子驱动层、隔离层、离子选择性膜、待检测液、栅极，用于检测对应的离子浓度，提供离子检测信号源；外部电路探针用于连接外部电路。本发明方案实现了高密度的复合多离子高灵敏度高选择性检测，可用于准确实时监测待测液中的对应离子浓度，具有广泛的应用前景。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117805210A
(43)申请公布日2024.04.02
(21)申请号202311842861.X
(22)申请日2023.12.29
(71)申请人电子科技大学
地址611731
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