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本发明公开了一种短波红外光电探测器及其制备方法，该探测器包括从下向上依次设置的背面电极、基底、势垒修饰层、感光层和正面电极。基底的材料为Si，势垒修饰层材料为Au，感光层的材料为Ni。势垒修饰层Au用于提高Ni与Si之间的肖特基结势垒高度，阻止探测器在暗态下的电子向基底方向扩散，从而降低其暗电流，使器件可以在工作电压为0V时的暗电流密度降低至小于5nA/cm2，暗态噪声谱强度小于10‑14A/Hz1/2。在波长为1550nm、光强密度为166mW/cm2的光照下，该探测器的比探测率可以达到101
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117810288A
(43)申请公布日2024.04.02
(21)申请号202311847721.1
(22)申请日2023.12.28
(71)申请人中国科学院重庆绿
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