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本申请提供了一种太阳电池的制备方法、太阳电池和光伏设备，该制备方法包括：在基底上下表面分别形成第一硅层和第二硅层，利用预设光束对第一硅层中的N型掺杂硅层和第二硅层中的P型掺杂硅层进行扰动重构，之后在N型掺杂硅层和P型掺杂硅层的表面依次形成第一导电层、第一电极，在P型掺杂硅层的表面依次形成第二导电层、第二电极。由此可见，该制备方法对N型掺杂硅层和P型掺杂硅层进行光改性处理，促使N型掺杂硅层和P型掺杂硅层发生结构重构，能够有效提高N型掺杂硅层和P型掺杂硅层掺杂效率，进而提高载流子浓度，以有助于提高S
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117810313A
(43)申请公布日2024.04.02
(21)申请号202311812097.1H01L31/0747(2012.01)
(22)申请日2023.1
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