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本发明提供一种基于辐照性质提高单层过渡金属硫化物电导率的方法，包括以下步骤：步骤S1.制备单层过渡金属硫化物薄膜；步骤S2.将单层过渡金属硫化物薄膜进行不同剂量的γ射线辐照，并测试和计算电导率，获取γ射线辐照的剂量与单层过渡金属硫化物薄膜电导率变化之间的关系曲线；步骤S3.根据γ射线辐照与单层过渡金属硫化物薄膜电导率变化曲线，确定单层过渡金属硫化物的辐照剂量，制备出符合电导率要求的单层过渡金属硫化物。本发明通过γ射线对单层过渡金属硫化物MoS2进行辐照，改变单层过渡金属硫化物MoS2的结构，导致
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117809880A
(43)申请公布日2024.04.02
(21)申请号202311853186.0
(22)申请日2023.12.29
(71)申请人无锡昆仑富士仪表有限公司
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