GaN多量子阱势垒层掺In工艺及其应用研究的开题报告.docxVIP

InGaN/GaN多量子阱势垒层掺In工艺及其应用研究的开题报告

题目：InGaN/GaN多量子阱势垒层掺In工艺及其应用研究

背景介绍：

InGaN/GaN多量子阱是近年来研究的热点。其中InGaN材料具有宽波段的吸收和发射特性，可用于照明、显示、激光器等领域。然而，InGaN材料在生长和制造过程中存在一些困难。其中重要的一项是控制In浓度。为了解决这个问题，掺入In元素的InGaN/GaN多量子阱被提出。掺In的方法可以增强In的浓度和均匀性，从而改善材料的性能和品质。

研究目的和内容：

本文旨在研究掺入In元素的InGaN/GaN多量子阱的生长工艺和性能，并探讨它在照明和显示领域的应用。具体研究内容包括：

（1）研究掺In的方法，优化掺In工艺，提高In的浓度和均匀性。

（2）实验生长InGaN/GaN多量子阱，掺In，测量其结构、光学性质和电特性。

（3）研究InGaN/GaN多量子阱的应用，将其制成LED器件，研究其性能和稳定性，探讨其在照明和显示领域的应用。

研究意义：

本研究将为InGaN/GaN多量子阱的生长和制备提供技术支持，为其在照明和显示领域的应用提供新思路和途径。同时也将促进掺In技术的发展，提高掺杂工艺的精度和控制能力。

研究方法：

本研究将采用金属有机化学气相沉积法（MOCVD）生长InGaN/GaN多量子阱，并在生长过程中掺入In元素。测量其结构、光学性质和电特性，对其进行分析和评价。同时将对其应用进行研究，制成LED器件，测试其性能和稳定性。

预期成果：

（1）优化掺In工艺，提高In的浓度和均匀性。

（2）成功生长掺In的InGaN/GaN多量子阱，并测量其结构、光学性质和电特性。

（3）制成LED器件，研究其性能和稳定性，并探讨其在照明和显示领域的应用。

研究难点和挑战：掺In的工艺需要精确控制In的浓度，以及在生长过程中保证其均匀性，并且还需要解决InGaN材料在生长和制造过程中的其他困难，如材料品质问题等。

研究时间安排：

第一年：研究掺In的方法，优化掺In工艺，提高In的浓度和均匀性；

第二年：实验生长InGaN/GaN多量子阱，掺In，测量其结构、光学性质和电特性；

第三年：研究InGaN/GaN多量子阱的应用，制成LED器件，研究其性能和稳定性，探讨其在照明和显示领域的应用。

预算：

设备费用：100万元；

材料费用：50万元；

人员费用：150万元；

其他费用：50万元；

合计：350万元。