【高中物理】优质课件：半导体三极管及放大电路基础.pptVIP

结构特点(对NPNPNP型均适用)发射区的掺杂浓度最高；集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大；基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。管芯结构剖面图要使三极管具有电流放大作用所必须提供的条件：外部条件：外加直流电压源保证发射结正偏，集电结反偏。内部条件:发射区的掺杂浓度最高；集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大；基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。BJT的电流分配与放大原理半导体三极管（BJT）共射极放大电路图解分析法小信号模型分析法放大电路的工作点稳定问题共集电极电路和共基极电路放大电路的频率响应多级放大电路这一章是课程的重要章节，内容涉及放大电路的基本概念、基本电路和基本分析方法。主要内容：1、半导体三极管的结构及工作原理，放大电路的三种基本组态。2、静态工作点Q的不同选择对非线性失真的影响。3、用H参数模型计算共射极放大电路的主要性能指标。4、共集电极电路和共基极电路的工作原理。5、三极管放大电路的频率响应。学习指导学习目标：1、掌握BJT的电流分配关系、放大条件