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本申请公开了一种基于磁性随机存取存储器的缓存地址电路，该电路包括：译码器、磁性随机存取存储器阵列以及多个三态门；磁性随机存取存储器阵列可以分级存储标签，译码器对标签里的通路进行选择，对请求地址的标签进行分级比较，然后将分级比较后得到的命中信号发送给三态门，三态门可被命中信号激活，将命中信号所对应的路的缓存数据发送到总线上。本申请不需要对所有地址的标签进行读取和比较，减少了读取次数，降低了访问缓存地址电路时误读数据的概率，提高了缓存地址电路的数据可靠性；且可省去大量不必要的比较操作，降低了缓存地址
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117831582A
(43)申请公布日2024.04.05
(21)申请号202311781037.8
(22)申请日2023.12.21
(71)申请人中山大学
地址510275
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