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- 2024-04-06 发布于四川
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本发明涉及一种高密度硅基电容器及其形成方法，所述硅基电容器，其沟槽网络的图形：具有一矩形框，所述沟槽网络位于矩形框内，所述矩形框的内部包含沟槽网络以及被沟槽网络包围的圆形和“类十字”形和/或“类十字”形的二分之一图形和/或“类十字”形的四分之一图形，所述圆形和“类十字”形和/或“类十字”形的二分之一图形和/或“类十字”形的四分之一图形呈规则排列。过独特的沟槽网络有效提高了单位面积上的有效电容面积，加之优化的工艺方案和金属互连结构，可形成具有低阻抗、低漏电、高密度的电容器，并适用于不同的封装尺寸类
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117832207A
(43)申请公布日2024.04.05
(21)申请号202410111449.9
(22)申请日2024.01.26
(71)申请人芯铭半导体（杭州）有限公司
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