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本发明公开一种沟槽电容器及其形成方法,所述沟槽电容器为双沟槽电容器,其具有半导体衬底、形成在半导体衬底表面的第一沟槽、形成在半导体衬底表面的第二沟槽、交替堆叠在第一沟槽内的导电层和介电层、交替堆叠在第二沟槽内的导电层和介电层;所述第一沟槽与第二沟槽交错,所述第二沟槽以相邻第一沟槽内的第一层结构为侧壁,所述第一沟槽内导电层和介电层与第二沟槽内的导电层和介电层交替连续。极大提升了空间利用率,电容密度可以增大至原来的2至3倍。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117832208A
(43)申请公布日2024.04.05
(21)申请号202410111455.4
(22)申请日2024.01.26
(71)申请人芯铭半导体(杭州)有限公司
地址
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