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本发明属于半导体器件仿真技术领域，公开了一种基于物理参数降维的高效率半导体器件仿真方法及系统，TCAD仿真数据获取，对MOSFET进行电流‑电压特性仿真；数据归一化处理，对工艺参数进行归一化处理，优化输入数据；关键物理参数提取，从仿真数据中提取关键参数；工艺参数‑关键物理参数ANN模型构建，利用归一化参数和偏置电压训练人工神经网络(ANN)，输出关键物理参数；关键物理参数‑电流ANN模型构建，构建基于关键物理参数的ANN模型，预测MOSFET的漏源电流。本发明提供了一种基于物理参数的非线性降维方
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117828888A
(43)申请公布日2024.04.05
(21)申请号202410030200.5
(22)申请日2024.01.09
(71)申请人电子科技大学长三角研究院（湖州）
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