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本发明涉及一种改善硅太阳能电池的接触格与发射极层之间的欧姆接触特性的方法，其中，将所述接触格与电压源的一个电极电连接，以及，将一个与所述电压源的另一电极电连接的接触装置同所述背触点连接，以及，通过所述电压源施加一个与所述硅太阳能电池的正向反向的小于所述硅太阳能电池的击穿电压的电压，以及，在存在所述电压的情况下，用点光源对所述面向太阳的一侧的某个分区的局部进行照明，从而在所述分区内感生电流，以及，所述电流就所述局部而言具有200A/cm2至20000A/cm2的电流密度且为时10ns至10ms地作
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117832299A
(43)申请公布日2024.04.05
(21)申请号202311778843.XH01L31/18(2006.01)
(22)申请日2019.02.
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