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本发明公开了一种适用于铁电存储器的灵敏放大器电路结构,属于电压灵敏放大器领域,包括第一级预放大电路和第二级预放大电路;第一级预放大电路包括PMOS晶体管P1和PMOS晶体管P2;PMOS晶体管P5、NMOS晶体管N5构成的反相器与PMOS晶体管P56、NMOS晶体管N6构成的反相器交叉耦合形成具有正反馈的放大电路;NMOS晶体管N1、NMOS晶体管N2与NMOS晶体管N7、NMOS晶体管N8用于控制第一级预放大电路与第二级放大电路的连接与断开。本发明减少了器件失配对其放大效果的影响,利用锁存型灵
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117831583A
(43)申请公布日2024.04.05
(21)申请号202410025551.7
(22)申请日2024.01.08
(71)申请人合肥中科微电子创新中心有限公司
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