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本文中公开半导体装置及相关联系统及方法。在一些实施例中，所述半导体装置包含封装衬底、由所述封装衬底承载的裸片堆叠及经配置以吸收来自入射于所述半导体装置上的中子辐射的中子的一或多个辐射屏蔽。所述辐射屏蔽可包含附接到所述封装衬底的周边部分、至少部分包围所述裸片堆叠的一或多个壁及/或承载在所述裸片堆叠之上的盖。所述辐射屏蔽中的每一者可包含有效地吸收来自中子辐射的中子的烃材料、硼、锂、钆、镉及类似材料。在一些实施例中，所述半导体装置还包含所述裸片堆叠及所述辐射屏蔽之上的模制材料及模制材料的外表面之上的烃
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117836938A
(43)申请公布日2024.04.05
(21)申请号202280054159.4(74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限
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