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一种伪栅阵列DEMOS器件及其制作方法.pdfVIP

一种伪栅阵列DEMOS器件及其制作方法.pdf

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    本发明公开了一种伪栅阵列DEMOS器件及其制作方法。本发明中的伪栅阵列DEMOS器件包括硅衬底、阱区、源区、漏区、漂移区、伪栅阵列结构和栅极结构；在硅衬底上设有阱区和漂移区；所述栅极结构覆盖部分阱区和部分漂移区；所述源区与所述栅极结构的第一侧自对准；所述伪栅阵列结构由多个伪栅结构组成，且均位于所述漂移区上方，用于调漂移区的电场；所述漏区与远离所述栅极结构的伪栅结构的第二侧自对准。本发明设计了伪栅阵列DEMOS器件，该器件通过在漂移区上方增加伪栅阵列，并给予伪栅不同的偏置电压，可以有效调控器件漂移

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117832274A

    (43)申请公布日2024.04.05

    (21)申请号202311772058.3

    (22)申请日2023.12.21

    (71)申请人浙江大学

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