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本发明公开了一种全固态薄膜电池电极的原位掺杂制备方法,包括如下步骤：步骤1、预先在集流体上溅射厚度为1nm～20μm的掺杂材料层；步骤2、在所述步骤1掺杂层表面生长可掺杂的薄膜电极材料，在1×10‑1～1×10‑4mbar压力和400～900℃衬底温度下进行掺杂晶化。本发明解决了目前薄膜型全固态电池的制备受限于层层堆叠的物理沉积方式，仅通过复合靶材制备和多靶共溅掺杂要满足严苛的制备条件及高额的制靶成本而不利于批量生产的问题。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117832377A
(43)申请公布日2024.04.05
(21)申请号202311783525.2C23C14/20(2006.01)
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