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本发明提供了一种Si@void@C结构的硅碳负极材料及其制备方法、应用，涉及锂离子电池技术领域，包括以下步骤：（a）纳米Si与热塑性树脂水溶液混合后研磨，得到混合浆料，再经干燥，得到混合粉体；（b）将该混合粉体分散于酚醛树脂的溶液中，之后经干燥，得到复合粉体，再经碳化，得到Si@void@C结构的硅碳负极材料；其中，采用的酚醛树脂的溶液中含有固化剂乌洛托品。本发明通过相对简单的制备方法制备得到了具有Si@void@C结构的硅碳材料，其在纳米硅表面预留一定的膨胀空间，从而能够避免SEI膜产生反复生
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117819554A
(43)申请公布日2024.04.05
(21)申请号202410009735.4H01M4/38(2006.01)
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