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本发明公开一种光电晶体管包括：衬底；衬底上依次形成的第一导电类型的第一外延层至第N外延层；第N外延层上形成的基区；基区上形成的发射区；基区上形成的金属化的基极；发射区上形成的金属化的发射极；衬底背面形成的金属化的集电极；及覆盖发射区和基区并露出发射极和基极的钝化层；其中，第N外延层的掺杂浓度大于第N‑1外延层的掺杂浓度，N为正整数且N≥2。本发明还公开一种光电晶体管的制作方法。本发明的光电晶体管及其制作方法，通过在衬底上形成具有不同电阻率的外延层，实现了提高光电晶体管的光电转换效率的同时而又不显
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN107887486A
(43)申请公布日
2018.04.06
(21)申请号20171
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