1.-半导体材料概论.ppt

半导体器件的材料物理学基础陈治明王建农著科学出版社半导体技术在21世纪所有高新技术中具有重要地位，而半导体器件是半导体技术中的核心环节。寻找合适的器件材料是制备高性能器件的基础，离开了特定性能的材料，半导体器件的制备将无从谈起。在此将重点讨论半导体材料的性能、表征，以及如何选择合适材料制备目标器件。第一章半导体材料概论1.1半导体技术发展概况1.2半导体材料的典型特性1.3半导体材料性质综述1.4半导体材料制备综述1.1半导体技术发展概况1、1833年，法拉第发现AgS的电阻率的温度系数为负，这是对物质半导体特性的最早发现。2、1920年左右出现的Se整流器是半导体材料的最早应用。3、1950年肖克莱（ W.Shockley）、布拉顿(W.H.Brattain)和巴丁(J.Bardeen)发明晶体管，这是半导体行业发展史上的里程碑！4、1952年，晶体管实现商业应用——助听器5、以后，半导体行业就飞速发展起来了。第一个晶体管功率集成电路半导体光电子技术的发展1、发光技术LED和激光器，窄的光谱范围2、光敏感技术3、太阳能技术半导体材料的代次划分1、第一代半导体主要是以Si、Ge为代表的半导体材料。2、第二代半导体主要是以GaAs、GaP、InP为代表的Ⅲ-Ⅴ窄禁带半导体材料。3、第三代半导体主要是以AlN、GaN、SiC和金刚石为代表的宽禁带半导体材料。1.2半导体中常用的一些概念电子与空穴本征半导体、杂质半导体施主杂质、受主杂质N型半导体、P型半导体多数载流子、少数载流子直接禁带、间接禁带直接禁带与间接禁带其他类型的半导体材料1、非晶半导体硫系玻璃；非晶硅太阳电池2、超晶格半导体定义：周期性地交替生长两种半导体薄层分类：成分超晶格和掺杂超晶格生长方法：MBE和MOCVD超晶格结构示意图超晶格能带结构示意图1.3半导体材料性质综述半导体材料种类繁多：无机材料——有机材料单元素材料——化合物及固溶体材料晶体材料——非晶体材料自然晶体——人工晶体主要半导体材料分类表元素半导体元素半导体不单指Ⅳ族的Si、Ge，还有很多种其他的元素半导体。如，Se、金刚石、C60等。Si和GeSi是目前工艺水平最成熟、应用最广泛的半导体材料，具有很多优良性能。Ge由于自身的局限性，应用范围有限。由于Si和Ge的合金的能带具有可调性，而逐渐重新得到重视。Se最早获得实际应用的是Ⅵ族的Se，用Se蒸发膜做整流器，是一种光敏感材料，可用于光电池和设想靶等的光敏原件。金刚石薄膜宽禁带Eg高热导率λ高临界击穿电场Et高电子饱和速度Vs低介电常数εUp≈Un金刚石Eg=5.5eV掺杂物质：氮、锂、锑等高的光折射率：n=2.42低的光吸收系数,光透过性好；热导率最高:λ=1.5×105W/(mk)（T=80K）高比热：C=6.2j/g热稳定性好声波传播速度高C6060原子组成的32面体，又称截角20面体12个五元环和20个六元环中子衍射法测得：单键长1.455?双键长1.393?分子直径7.1?直接禁带，Eg=1.7～2.3eV掺杂敏感，掺入碱金属可变为高温超导体C60在常温高压下有向金刚石的结构相变元素半导体特性一览化合物半导体由于化合物半导体的提纯和制备较困难，化合物半导体起步较晚。化合物半导体以共价键结合，但含有不同成分的离子键。化合物半导体主要包括Ⅲ-Ⅵ族、Ⅱ-Ⅵ族、氧化物、Ⅳ-Ⅵ族、Ⅳ-Ⅳ族、多元化合物半导体等。Ⅲ-Ⅵ族化合物半导体主要指由Ⅲ族的B、Al、Ga、In和Ⅵ族的N、P、As、Sb交相化合的16中化合物。相互无限共溶，可得到组分连续可变的固溶体。目前已用于光电子器件、微波器件、霍尔器件等。Ga的四种化合物GaN：Eg=3.4eVGaP：Eg=2.26eVGaAs:Eg=1.424eV,Un高，但λ低GaSb：Eg=0.72eV无特色，目前研究尚少。In的四种化合物InSb：Eg=0.18eV，Un更高；InAs：Eg=0.35eV，InP:Eg=1.33eV，InN: