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本发明涉及光学器件技术领域，提供了一种提高微纳产品刻蚀均匀度的方法。本发明在基底表面依次沉积刻蚀阻挡层和刻蚀层，然后采用干法刻蚀的方法对刻蚀层进行刻蚀；刻蚀阻挡层自下而上依次包括氧化钛层和氧化铝层。本发明在沉积刻蚀层之前，先沉积一层刻蚀阻挡层，刻蚀气体对刻蚀阻挡层材料不会造成有效刻蚀，在进行干法刻蚀时，直接将暴露的刻蚀层刻穿，暴露出刻蚀阻挡层时停止刻蚀即可，刻蚀时无需预留刻蚀余地，只用增加刻蚀工艺时间直接刻穿即可刻蚀到有效精度，并且能够有效控制图形的尺寸，达到提高刻蚀均匀度的目的。同时，本发明通
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117842929A
(43)申请公布日2024.04.09
(21)申请号202410068747.4
(22)申请日2024.01.17
(71)申请人杭州邦齐州科技有限公司
地址3
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