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2024-04-10 发布于四川
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半导体发光器件及制备方法.pdf

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本申请涉及半导体发光器件及制备方法。所述半导体发光器件包括：衬底层、复合膜层以及发光结构，其中，所述复合膜层包括位于所述衬底层上方且交叠设置的第一膜层和第二膜层，至少一层所述第一膜层与所述发光结构接触，所述第一膜层和所述第二膜层具有预设厚度比，且所述第一膜层的折射率低于所述第二膜层的折射率。根据本申请，采用复合膜层替代现有复合衬底中的单层膜，并使复合膜层中具有更低折射率的膜层与发光结构接触，能得到具有低折射率的复合膜层，提高半导体发光器件的出光量，进而提高芯片亮度。

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117855360A

(43)申请公布日2024.04.09

(21)申请号202211214219.2

(22)申请日2022.09.30

(71)申请人北京北方华创微电子装备有限公司

地

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