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本发明公开了一种超薄封装型合封GaN电源管理芯片封装及其制造方法,包括料片,及阵列设于所述料片上的若干芯片封装单元;芯片封装单元包括载体、驱动芯片和GaN管,所述驱动芯片和GaN管与所述料片之间均设有绝缘胶层;所述驱动芯片和GaN管与所述载体的各引脚之间通过导线进行电气连接;以及塑封体至少将驱动芯片和GaN管以及导线覆盖,通过驱动芯片来控制GaN管方式,有效降低功率损耗60%,满足6级能效要求,且整体封装厚度仅有1.2mm,减少封装尺寸,并具有绝缘作用;引脚设置与底部表面平齐,并进行镀锡处理,方
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117855205A
(43)申请公布日2024.04.09
(21)申请号202410016837.9
(22)申请日2024.01.05
(71)申请人东科半导体(安徽)股份有限公司
地
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