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本申请实施例提供的一种半导体射线传感器，包括圆柱形灵敏区、电极阵列、分压电阻阵列以及收集电极。电极阵列包括多个设置于圆柱形灵敏区的周侧壁的电极。各电极沿圆柱形灵敏区的轴向间隔设置。分压电阻阵列与电极阵列对应，并与电极阵列电连接，以使电极阵列在圆柱形灵敏区内形成偏转电场。收集电极设置于圆柱形灵敏区的轴向的一端。电极阵列靠近收集电极的一端与收集电极之间的区域限定为收集区域。电子能够在偏转电场的作用下，沿圆柱形灵敏区的径向漂移至靠近圆柱形灵敏区的中心轴线处，再沿圆柱形灵敏区的中心轴线漂移至收集区域后，
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117849848A
(43)申请公布日2024.04.09
(21)申请号202311639940.0
(22)申请日2023.12.01
(71)申请人中国原子能科学研究院
地址10
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