《模拟电子技术》期末总复习.pptVIP

《模拟电子技术》

期末总复习;半导体器件根底;半导体器件根底;2.1PN结

形成过程：扩散?扩散、漂移?扩散＝漂移

;半导体器件根底;半导体器件根底;半导体器件根底;半导体器件根底;半导体器件根底;半导体器件根底;半导体器件根底;半导体器件根底;半导体器件根底;半导体器件根底;半导体器件根底;半导体器件根底;半导体器件根底;半导体器件根底;半导体器件根底;双极型电路的根本单元电路;5.3图解法－利用晶体管的伏安特性曲线和外部特性分析。

〔1〕根据直流通路列方程，作直流负载线，求Q；

〔2〕根据交流通路列方程，作交流负载线；

〔3〕

〔4〕非线性失真：饱和失真〔RB偏小造成的〕

截止失真〔RB偏大造成的〕

双向失真〔Ui过大造成的〕;5.3放大电路的分析内容

〔1〕直流〔静态〕分析

画直流通路－电路中的电容视为开路

据直流通路求解Q点：IBQ、ICQ、UCEQ

〔2〕交流〔动态〕分析

画交流通路－电路中的电容视为短路，直流电源对地路视为短路

画交流等效电路－用模型代替交流通路中的晶体管。

据交流等效电路求：AU、AI、Ri(Ri’)、RO(Ro’)、fL、fH;3晶体管模型

〔1〕h模型〔属低、中频模型〕

;h参数的求法