《模拟电子技术》教学教案(共42单元)247.docxVIP

《模拟电子技术》课程电子教案

教师：序号：01

教学项目

（任务）名称

常用半导体器件

课时数

1

教学内容

主要知识点

PN结及其单向导电性

重点、难点

PN结的形成、PN结的单向导电性

教学目标

专业能力

掌握半导体器件的特性，P型、N型半导体、PN结的形成，PN结的

单向导电性

方法能力

学生利用动画、仿真、实操等掌握PN结的特性及工作原理

社会能力

提高逻辑思维能力，锻炼理性思维。

学生情况分析

高职高专学生

教学环境要求

多媒体教室与实训室

教学方法

理论与实操相结合，即学即练

教学手段

多媒体教学，小组协作训练

教学过程设计

教学步骤

教学内容

学生活动

时间分配

明确任务

PN结及其单向导电性

物质按其导电能力一般可分为导体，半导体和绝缘体。导电能力较强的物质称为导体，如铜、铝等。没有导电能力的物质称为绝缘体，如塑料、陶瓷等。

导电能力介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。

PN结是制造各种半导体器件的基础。

【特别提示】

制造半导体器件最常用的半导体材料为硅和锗。

观看图片、动画、仿真

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教学步骤

教学内容

学生活动

时间分配

知识引导

1.1．半导体的三个特性

1）热敏特性和光敏特性

通常状态下半导体类似于绝缘体，几乎不导电。但在加热或光照加强时，半导体的阻值显著下降，导电能力增强类似于导体。利用半导体的热敏特性和光敏特性可制成热敏电阻和光敏电阻、光电二极管等元

件，用于实现自动测量及自动控制等。

半导体具有热敏特性和光敏特性是由半导体的

内部结构所决定的。如图1所示。

图1半导体内部结构示意图

纯净的半导体又称本征半导体。用于制造半导体器件的硅和锗都是四价元素，其最外层原子轨道上有四个电子，这四个电子为相邻的原子所共有，形成共

价键结构。

2）掺杂特性

如果在半导体里掺入少量的杂质，也会使半导体的导电能力增强。例如，在半导体硅或锗中掺入少量外层电子只有三个的硼元素，这种掺入三价元素，空穴为多数载流子，而自由电子为少数载流子的半导体

叫空穴型半导体，简称P型半导体。

如果在半导体中掺入少量外层电子为五个的磷

元素，在和半导体原子组成共价键时，就多出一个电子。这种掺入五价元素，电子为多数载流子，空穴为少数载流子的半导体叫电子型半导体，简称N型半导

体。

制造半导体二极管、三极管、场效应管等半导体器件，则是利用P型半导体和N型半导体两者的结合，

既PN结。

PPT、动画演示、图片

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知识引导

2.PN结

1）PN结的形成

在一块纯净的半导体晶片上，采用特殊的掺杂工艺，在两侧分别掺入三价元素和五价元素。一侧形成

P型半导体，另一侧形成N型半导体，如图2所示。

图2PN结的形成

2）PN结的单向导电性

PN结外加正向电压，即P区接电源的正极，N区

接电源的负极，称为PN结正偏，如图3(a)所示。

图3PN结的单向导电性

外加电压在PN结上所形成的外电场与PN结的内电场方向相反，相当于削弱了内电场的作用，使PN结变窄，破坏了原有的动态平衡，加强了多数载流子的扩散运动，形成较大的正向电流。这时称PN结为

正向导通状态。

如果给PN结外加反向电压，即P区接电源的负极，N区接电源的正极，称为PN结反偏，如图3（b）所示。外加电压在PN结上所形成的外电场与PN结的内电场方向相同，相当于增强了内电场的作用，使PN结变厚，破坏了原有的动态平衡，加强了少数载流子的漂移运动，由于少数载流子的数量很少，所以只有很小的反向电流，一般情况下可以忽略不计。这时称

PN结为反向载止状态。

PPT、动画演示、图片

教学步骤

教学内容

学生活动

时间分配

操作训练

万用表验证PN结单向导电性

将万用表打到二极管档位，将红黑表笔分别接二极管的两侧，听见响声的时候为PN结导通，没有响声的时候为PN结截止。

万用表测量、记录

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教学步骤

教学内容

学生活动

时间分配

知识深化

PN结与半导体器件

PN结正偏（P＋N－）导通，反偏（P－N＋）载止，具有单向导电性。这是PN结的重要特性，PN结是制造各种半导体器件的基础。二极管、三极管等都有PN

结。

PPT、仿真

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归纳总结

PN结的形成，PN结具有单向导电性，PN结是制

造各种半导体器件的基础。

PPT、图片

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作业

课后练习

教学参考资料、网站

[1]张志良主编《模拟电子技术基础》，机械工业出版社

[2]邓木生、周红兵，《模拟电