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本发明属于金刚石合成技术领域，尤其为一种单晶金刚石的合成方法，包括晶金刚石沉积基底，并让CVD装置的基台与晶种基底充分接触。步骤一：取一块大于6mm的晶金刚石沉积基底，并将晶金刚石沉积基底切割为厚度0.3mm的矩形体。通过高平坦度的单晶金刚石晶种基板，能够使晶种基板和基台充分接触且稳定地进行追加堆积，以及基底进行多次循环生长得到大尺寸单晶金刚石，不仅无拼接影响，而且晶体的均匀度高，并且整体性强单晶金刚石生长时的温度差异控制在一定范围内，可以极大地提高批量合成单晶金刚石过程中的温度均匀性，以此提高
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117845327A
(43)申请公布日2024.04.09
(21)申请号202211209896.5
(22)申请日2022.09.30
(71)申请人商丘力量钻石科技中心有限公司
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