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提供了半导体器件。半导体器件可以包括位于基底上的第一有源图案和第二有源图案。第一有源图案和第二有源图案中的每个可以在第一方向上延伸。第一有源图案和第二有源图案可以分别沿第一方向对齐并且可以分别通过在第二方向上延伸的第一沟槽分离。第一沟槽可以限定第一有源图案的第一侧壁。半导体器件还可以包括：沟道图案，包括堆叠在第一有源图案上的第一半导体图案和第二半导体图案；虚设栅电极，位于沟道图案上并且在第二方向上延伸；以及栅极间隔件，位于虚设栅电极的一侧上，虚设栅电极的所述一侧与第一沟槽相邻。栅极间隔件可以覆盖
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN110783332A
(43)申请公布日
2020.02.11
(21)申请号20191
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