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改善小尺寸光电二极管剥落的方法.pdfVIP

改善小尺寸光电二极管剥落的方法.pdf

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    本发明提供一种改善小尺寸光电二极管剥落的方法，提供衬底，在衬底上形成第一外延层，在第一外延层上形成硬掩膜层；在硬掩膜层上形成光刻胶层，光刻打开光刻胶层使得其下方的硬掩膜层裸露，以定义出光电二极管的形成区域以及硬掩膜层的保留区域，保留的硬掩膜层作为连接相邻的光电二极管的支撑结构；刻蚀裸露的硬掩膜层，使得其下方的第一外延层裸露，之后去除剩余的光刻胶层；刻蚀裸露的第一外延层形成光电二极管；刻蚀去除硬掩膜层下方的第一外延层；在光电二极管上形成本征外延层，之后去除剩余的硬掩膜层；利用外延、研磨形成覆盖光电

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117855334A

    (43)申请公布日2024.04.09

    (21)申请号202410012696.3

    (22)申请日2024.01.04

    (71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司

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