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本发明公开了一种具有低损耗介电可调薄膜材料及其制备方法，属于介电可调薄膜领域。制备方法是将前驱体溶液旋涂在衬底上面，得到湿膜；制得的湿膜首先在200‑400℃下蒸干2‑9min，然后在400‑600℃下热处理2‑9min，最后在600‑800℃下退火处理2‑9min，得到一层薄膜；重复以上步骤多次，即获得具有纯度高、致密性好、平均晶粒尺寸小、损耗低、介电可调率高器件稳定性好等优点的薄膜。本发明制备方法与制备过程简单、可控性强、制备周期短、成本低廉,在介电可调器件以及集成电路领域有广泛的应用。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117845198A
(43)申请公布日2024.04.09
(21)申请号202311784187.4
(22)申请日2023.12.22
(71)申请人贺州学院
地址542899
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