半导体物理第1章和第3章作业答案(精).docVIP

半导体物理第1章和第3章作业答案(精)

SolutionsToTheProblemsOfSemiconductor（PartI）SolutionsToTheProblemsOfChapter1st3rd

（CEIEofHBU席砺莼）

1－1．（P32）设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec（k）和价带极大值附近能量Ev（k）分别为：

h2k2h2(k?k1)2h2k23h2k2+和Ev(k)=－；Ec(k)=3m0m06m0m0

m0为电子惯性质量，k1＝1/2a；a＝0.314nm。试求：

①禁带宽度；

②导带底电子有效质量；

③价带顶电子有效质量；

④价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。

[解]①禁带宽度Eg22(k?k1)22kdEc(k)根据＝＋＝0；可求出对应导带能量极小值Emin的km03m0dk

值：

kmin＝k1，

由题中EC式可得：Emin＝EC(K)|k=kmin=2k1；4m034

由题中EV式可看出，对应价带能量极大值Emax的k值为：kmax＝0；

2k122k12h2；∴Eg＝Emin－Emax＝＝并且Emin＝EV(k)|k=kmax＝12m06m048m0a2

(6.62×10?27)2＝0.64eV＝?28?82?1148×9.1×10×(3.14×10)×1.6×10

②导带底电子有效质量mn

2d2EC222h28232dEC=+=；∴m=m0n＝/223m0m03m08dkdk

③价带顶电子有效质量m’

2d2EV162

2dEV=?，∴==?m/m0n6m0dk2dk2

④准动量的改变量

1－2．（P33）晶格常数为0.25nm的一维晶格，当外加102V/m，107V/m的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。133h△k＝(kmin-kmax)=k1=[毕]48a

SolutionsToTheProblemsOfSemiconductor（PartI）[解]设电场强度为E，∵F=h

∴t=∫0dt=∫t12a0hdk=qE（取绝对值）∴dt=dtqEdk

；E＝107V/m时，t＝8.3×1013当E＝102V/m时，t＝8.3×108（s）

（s）。[毕]

19－33－7．（P81）①在室温下，锗的有效状态密度Nc＝1.05×10cm，Nv

18－3**＝5.7×10cm，试求锗的载流子有效质量mn和mp。计算77k时的Nc和

Nv。已知300k时，Eg＝0.67eV。77k时Eg＝0.76eV。求这两个温度时锗

17－3的本征载流子浓度。②77k，锗的电子浓度为10cm，假定浓度为

零，而Ec－ED＝0.01eV,求锗中施主浓度ND为多少？

-23-[解]①室温下，T=300k（27℃）,k0=1.380×10J/K，h=6.625×10

34J·S，

19－318－3对于锗：Nc＝1.05×10cm，Nv=5.7×10cm：

﹟求300k时的Nc和Nv：根据（3－18）式：－－

19Nc3?3421.05×10h((6.625×10)(3*2(2π?mnk0T)*Nc=?mn===5.0968×10?31Kg?2332π?k0Th2×3.14×1.38×10h1dk=代入数据得：qEqE2a6.62×10-348.3×10?6t＝＝（s）?19?10E2×1.6×10×2.5×10×E

根据（3－23）式：

18Nv3?3425.7×103*h()(6.625×10)()2(2π?mpk0T)?31*Nv=?m===3.39173×10Kgp?232π?k0Th32×3.14×1.38×10﹟求77k时的Nc和Nv：

2(2π?mkT)

333NcTT77h==(2;Nc=(2Nc=()2×1.05×1019=1.365×10193TT300Nc*2(2π?mnk0T)2

h3*n0332

同理：

772T)×5.7×1018=7.41×1017N=()2Nv=(T300

v33

﹟求300k时的ni：

ni=(NcNv)exp(?1

2Eg0.67=(1.05×1019×5.7×1018)exp(?=1.96×10132k0T0.052

SolutionsToTheProblemsOfSemiconductor（PartI）求77k时的ni：

Eg0.76×1.6×10?19

1918=1.094×10?7ni=(NcNv)exp(?=(1.05×10×5.7×10)exp(??232k0T2×1.38×10×77

E?EF②由n=NCexp(?C，得到kBT12

EC－EF＝kBTln(N