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2024-04-10 发布于四川
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立体存储器阵列装置与乘积累加方法.pdf

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本发明公开了一种立体存储器阵列装置与乘积累加方法，该立体存储器阵列装置包括区块、位线、字线、源极线、互补式金属氧化物半导体(CMOS)与源极线感测放大器。每一区块包括含多个NAND串的阵列，且NAND串中的每一存储单元存储一个或多个权重值。位线作为信号输入端分别耦接所有区块内沿一方向排列的串选择线。字线分别耦接存储单元，且相同层的字线作为卷积层，以对输入的信号执行卷积运算。不同源极线则耦接不同区块内的所有接地选择线，以独立收集各区块内的NAND串的总和电流。作为开关的CMOS设置于区块底下并耦接

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN112114775A

(43)申请公布日2020.12.22

(21)申请号201910596607.3G11C16/24(2006.01)

(22)申请日2

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