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基于等离子体氟化抑制微波部件材料二次电子发射的方法.pdfVIP

基于等离子体氟化抑制微波部件材料二次电子发射的方法.pdf

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    本发明提供了一种基于等离子体氟化抑制微波部件材料二次电子发射的方法，采用惰性气体掺杂六氟化硫放电产生的等离子体射流处理微波部件材料表面，通过在材料表面沉积含氟官能团的方式实现对材料表面的氟化处理，利用强电负性的氟元素表面沉积实现对微波部件材料二次电子发射过程的抑制。该方法所需设备简单、造价低廉、工艺流程简便、处理时间短，通过沉积含氟官能团实现氟化的方式不会显著改变材料本体介电特性，所利用的冷等离子体适用于不耐高温的聚合物介质材料，等离子体吹拂的处理方式适用于具有复杂形貌的微波部件。本技术方案在抑

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN115261776A

    (43)申请公布日2022.11.01

    (21)申请号202210869639.8

    (22)申请日2022.07.22

    (71)申请人西安空间无线电技术研究所

    地址7

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