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一种钨靶材二次致密化的制备方法.pdf

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    本发明提供了一种钨靶材二次致密化的制备方法，所述制备方法包括：将烧结成型后的钨靶材坯料进行热等静压处理，所述热等静压采用梯度升温的方式，所述梯度升温包括至少三段升温过程，得到钨靶材。本发明所述方法对烧结成型的低致密度的钨靶材坯料采用热等静压的方式进行二次致密化，利用热等静压的高温高压条件，使得钨的烧结颈进一步球化收缩，再加上晶粒的晶界迁移，有效提高靶材坯料的致密度，满足磁控溅射对靶材致密度的要求；所述方法通过采用梯度升温的方式，有效控制靶材坯料中晶粒的生长幅度，晶粒尺寸均匀且细小，使得内部组织结

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117840433A

    (43)申请公布日2024.04.09

    (21)申请号202410043317.7

    (22)申请日2024.01.11

    (71)申请人宁波江丰电子材料股份有限公司

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