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蓝宝石基本知识1、

蓝宝石基本知识

1、

蓝宝石介绍

蓝宝石的组成为氧化铝(Al2O3)，是由三个氧原子和两个铝原子

以共价键型式结合而成

以共价键型式结合而成,其晶体结构为六方晶格结构.它常被应

用的切面有A-Plane,C-Plane及R-Plane.

用的切面有A-Plane,C-Plane及R-Plane.由于蓝宝石的光学穿

透带很宽,从近紫外光(190nm)到中红外线都具有很好的透光性.

因此被大量用在光学元件、红外装置、高强度镭射镜片材料及

光罩材料上，它具有高声速、耐高温、抗腐蚀、高硬度、高透

光性、熔点高〔

光性、熔点高〔2045℃〕等特点，它是一种相当难加工的材料，

因此常被用来作为光电元件的材料。目前超高亮度白

因此常被用来作为光电元件的材料。目前超高亮度白/蓝光LE

D

D的品质取决于氮化镓磊晶(GaN)的材料品质，而氮化镓磊晶品

质则与所使用的蓝宝石基板外表加工品质息息相关，蓝宝石(

质则与所使用的蓝宝石基板外表加工品质息息相关，蓝宝石(单

晶Al2O3 )C面与Ⅲ-Ⅴ和Ⅱ-Ⅵ族沉积薄膜之间的晶格常数失配

率小

率小，同时符合GaN 磊晶制程中耐高温的要求，使得蓝宝石晶

片成为制作白/

片成为制作白/蓝/绿光LED的关键材料.

2

2、蓝宝石晶体的生长方法常用的有两种:

1:

1:柴氏拉晶法(Czochralski method),简称CZ法.先

将原料加热至熔点后熔化形成熔汤，再利用一单晶晶种接触到熔汤外表，在晶种与熔汤的固液界面上因温度差而形成过冷。于是熔汤开始在晶种外表凝固并生长和晶种相同晶体结构的单

将原料加热至熔点后熔化形成熔汤，再利用一单晶晶种接触到

熔汤外表，在晶种与熔汤的固液界面上因温度差而形成过冷。

于是熔汤开始在晶种外表凝固并生长和晶种相同晶体结构的单

晶。晶种同时以极缓慢的速度往上拉升，并伴随以一定的转速

晶。晶种同时以极缓慢的速度往上拉升，并伴随以一定的转速

旋转，随着晶种的向上拉升，熔汤逐渐凝固于晶种的液固界面上，进而形成一轴对称的单晶晶锭

旋转，随着晶种的向上拉升，熔汤逐渐凝固于晶种的液固界面

上，进而形成一轴对称的单晶晶锭.

2:

2:凯氏长晶法(Kyropoulos method),简称KY法,大陆

称之为泡生法

称之为泡生法.其原理与柴氏拉晶法(Czochralskimethod)类似，

先将原料加热至熔点后熔化形成熔汤，再以单晶之晶种

先将原料加热至熔点后熔化形成熔汤，再以单晶之晶种(SeedC

rystal

rystal，又称籽晶棒)接触到熔汤外表，在晶种与熔汤的固液界

面上开始生长和晶种相同晶体结构的单晶，晶种以极缓慢的速度往上拉升，但在晶种往上拉晶一段时间以形成晶颈，待熔汤与晶种界面的凝固速率稳定后，晶种便不再拉升，也没有作旋转，仅以控制冷却速率方式来使单晶从上方逐渐往下凝固，最后凝固成一整个单晶晶碇.

面上开始生长和晶种相同晶体结构的单晶，晶种以极缓慢的速

度往上拉升，但在晶种往上拉晶一段时间以形成晶颈，待熔汤

与晶种界面的凝固速率稳定后，晶种便不再拉升，也没有作旋

转，仅以控制冷却速率方式来使单晶从上方逐渐往下凝固，最

后凝固成一整个单晶晶碇.

蓝宝石基片的原材料是晶棒

蓝宝石基片的原材料是晶棒,晶棒由蓝宝石晶体加工而成

广阔外延片厂家使用的蓝宝石基片分为三种

广阔外延片厂家使用的蓝宝石基片分为三种:

1:C-Plane

1:C-Plane蓝宝石基板

这是广阔厂家普遍使用的供GaN

这是广阔厂家普遍使用的供GaN生长的蓝宝石基板面.这主要

是因为蓝宝石晶体沿C轴生长的工艺成熟、成本相对较低、物

2:R-Plane或

2:R-Plane或M-Plane蓝宝石基板

化性能稳定,在C面进行磊晶的技术成熟稳定.

主要用来生长非极性

主要用来生长非极性/半极性面GaN外延薄膜,以提高发光

效率

效率.通常在蓝宝石基板上制备的GaN外延膜是沿c轴生长的，

而

而c轴是GaN的极性轴，导致GaN基器件有源层量子阱中出

现很强的内建电场，发光效率会因此降低，发展非极性面GaN外延，克服这一物理现象，使发光效率提高。

现很强的内建电场，发光效率会因此降低，发展非极性面GaN

外延，克服这一物理现象，使发光效率提高。

3:

3:图案化蓝宝石基板(Pattern Sapphire Substrate简称PSS)

以成长

以成长(Growth)或蚀刻(Etching)的方式,在蓝宝石基板上设

计制作出纳米级特定规则的微结构图案藉以控制LED之输出光

计制作出纳米级特定规则的微结构图案藉以控制LED之输出光

形式，并可同时减少生长在蓝宝石基板上GaN之间的差排缺陷，

改善磊晶质量，并提升LED