第七章光刻完整版本.pptVIP

第七章光刻７.１光刻概述光刻是加工微图形结构的关键工艺技术,对光刻的基本要求有下述几个方面：1.高分辨率(只考虑衍射效应的纯理论结果)光学曝光可以达到的最细线条?L≥?/2光学曝光的最高分辨率Rmax≤1/?(mm-1)一般粒子束的最细线条?L≥h/2(2mE)1/22.高灵敏度；光刻胶的感光速度3.精密的套刻对准；4.加工大尺寸硅片的效率；5.低缺陷。７.２接触式曝光接近式曝光光的衍射接触式曝光时，掩膜与硅片表面是彼此接触的，曝光后，胶膜中的潜影和掩膜上的图案完全相同，比例为1比1，分辨率好(可达1微米)。但掩膜与硅片接触会产生摩擦和小微粒，影响转移图案的质量，因此已不在大生产中使用。接近式曝光虽不产生颗粒，但分辨率差(~3微米)，也基本不再使用。７.３步进投影曝光系统--stepper投影曝光的掩膜与硅片不接触，且分辨率很高，掩膜上的图案要比硅片上的图案大许多倍，掩膜的图案按比例缩小后，投影到硅片上面，使其曝光。曝光不能一次完成，须经过数十次重复性曝光才能完成。这样的曝光系统称为步进机（stepper）。投影曝光的分辨率R＝k?/N·A?为入射光的波长数值孔径（N·A）为描述透镜性能的参数通常N·A=0.4-0.6k为和工艺有关的常数(=o.61)系统组成：

紫外光源：通常使用的光源是汞灯，和准分子激光器.汞灯光谱中有几个光强峰值，有些用字母命名，如365nm的光强峰值被命名为I。准分子激光器主要用于深紫外DUV暴光，汞灯在这个波段的发射功率低不能满足生产的要求。光学系统：将汞灯光谱会聚,变换成平行光,并垂直引向硅片投影掩膜版：制成5倍(十倍)的图形置于光路中对准系统：光照亮对准标记，光探测器被用来从光学上探测投影掩膜版和硅片目标。对准照明系统可以使用步进光刻机的主投影光学系统照亮标记（被称做同轴或通过透镜），或使用其它的光学系统（被称做离轴）。带胶的硅片：投影式曝光如何提高分辨能力提高光学系统的分辨能力可以减小波长（改进光源）,提高感光胶的灵敏度和设备的精度。增加投影透镜的数值孔径（NA）。增加NA就需要更大的透镜半径，这将大大增加设备的成本，另外增加NA会减小焦深。有一些可行的分辨率增强技术，如相移掩膜版（PSM）和光学接近修正（OPC），对减少k值改善图象分辨率有重要作用。移相掩膜

在光掩膜的某些透明图形上，增加或减少一个透明的介质层（移相层），使光通过这个介质层后有180度的相位差，与临近区域的透过光产生干涉，抵消图形边缘的衍射效应，从而提高图形的曝光分辨率。焦深焦深是焦点周围的一个范围，在这个范围内图象连续地保持清晰，这个范围被称作焦深或DOF。焦深正比于波长，反比于NA的平方。焦深减小的结果是严重缩减了光学系统的工艺宽容度。由于硅片表面结构不平，严重限制了分辨率，人们采用许有许多技术来尽量减少表面不平，其中最主要的是机械化学平坦化（CMP）。平坦化减少了焦深，获得较高的图形分辨率。焦深计算:７.４光刻工艺流程光刻主要由涂胶、曝光、显影等主要步骤组成。为了增强精确性和可靠性，还包括去水烘烤、涂底、软烤和硬烤等步骤。下面简述各步的过程。７.４.１粘着剂HMDS光刻胶需要疏水性的表面才能获得良好的接触。干净的硅片表面是疏水的，但由于经过大多数工艺过程或和空气反应形成一层薄氧化层，硅片表面就变成亲水性的了。六甲基二硅胺烷（HMDS）钝化了亲水性的表面状态使之变成疏水性的，从而提高了硅片表面和光刻胶之间的黏附性。HMDS的涂法有两种：一种是旋转法，与涂胶类似；一种是气相法，气相法是把气态的HMDS送进放有硅片的容器，在硅片表面形成一层HMDS膜，这种方法效率高，受微粒影响小。脱水烘烤和HMDS成膜７.４.２涂胶硅片经过清洗，烘焙，成底膜后就该涂胶了。涂胶是在洁净干燥的硅片表面均匀的涂一层光刻胶。滴在硅片上的胶是通过硅片的高速旋转来均匀分布在硅片表面的。胶膜的厚度与胶的粘度和旋转速度有关，转速越大，胶膜越薄，厚度均匀性越理想。影响涂胶质量的参数是胶的厚度和均匀性，光刻胶厚度正比于1/（转速）1/2。涂胶后硅片边缘形成边胶，烘烤过程中或进行其它工艺时边胶就有可能掉到硅片内部图形中，形成缺陷，因此在涂胶后要把边胶去除（EBR）。光刻胶光刻胶主要由树脂、感光剂及溶剂等不同材料混合而成的，光刻胶是一种能和暴光波长（紫外）发生光化学反应从而改变在显影液中的溶解度的有机化合物。光刻胶分为正性胶和负性胶两种，负光刻胶在遇光以后会产生链接，使其结构加