RM1001B数据手册_V1.2深圳佰泰盛世.pdf

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RM1001B数据手册

高精度入耳+电容触摸芯片

V1.2

深圳锐盟半导体有限公司

RealmagicSemiconductors(Shenzhen)Co.,Ltd.

深圳市南山区高新北四道13号宇阳大厦3层

RM1001B数据手册

高精度入耳+电容触摸芯片

目录

1产品简介3

概述3

主要特性3

应用范围3

2订购信息4

丝印说明4

订购信息一览表4

3芯片功能5

芯片框图5

管脚配置6

管脚排列图6

脚位定义6

4功能描述7

工作模式7

偏置电容补偿7

数字信号处理7

I2C总线7

复位功能7

GPIO事件输出形式8

5电气参数9

绝对最大值范围9

推荐操作条件9

ESD级别9

电气特性10

6参考原理图11

7封装信息12

DFN8L(2X2)封装示意图12

8修订记录13

9声明14

V1.2Copyright©深圳锐盟半导体有限公司2/15

RM1001B数据手册

高精度入耳+电容触摸芯片

1产品简介

概述

RM1001B高精度入耳+电容触摸芯片是一款适用于TWS耳机入耳、触摸检测。可以检

测金属极板与待测物体之间的电容量,并通过高性能ADC量化为数值,然后通过内部的接

近检测算法判断物体与极板之间的距离,当距离达到某一数值时,RM1001B会产生直接同

步电平或事件编码脉冲波形输出。

RM1001B内部的自校准电路可以消除Sensor端的固定距离误差。同时也可以支持多路

信号输入,任意两通路信号可以配置成差分模式以抵消外部环境寄生电容以及温度的漂移。

RM1001B拥有丰富的可配置寄存器,可以针对不同电容结构和工作环境进行调整和校

准,并根据用户需求实现高性能、低功耗的调节。

主要特性

高精度ADC及DSP环境自适应智能算法,自动自适应阈值和灵敏度水平,可编程的侦

测范围,可编程的扫描周期等等。

2.4~5.5V的外部单电源供应

内建稳压

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