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一、什么是半导体？

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半导体是介于导体和绝缘体之间的物质，它的电阻率在10~10范围内。自

然界中属于半导体的物质很多，用于制造半导体的材料主要是硅（Si）、锗（Ge）、

砷化镓（GaAs）。

纯净的半导体电阻率很高，几乎不导电。但在特定的条件下，如光照、掺杂等，

它的电阻率可以降到几十欧姆甚至更低，并且随掺入的杂质不同呈不同的导电特

性。我们分别称之为P（空穴导电）型半导体和N（电子导电）型半导体。P型

半导体和N型半导体相接触时，在接触面就形成了PN结。PN结具有正向导通

反向截止的特性，利用它可以制得常用的二极管。

在集成电路制造中，常用的衬底材料是硅单晶片，根据圆片加工过程中硅

单晶切割的晶格方向的不同，可把它分为100和111等晶向。在mos集成电

路制造中，选用的是100晶向的圆片。

二、什么是集成电路？

不同导电类型的半导体组合在一起，可以做成二极管、三极管、电容、电

阻，如果把这些元件做在同一块芯片上，完成一定的电路功能，就称之为集成电

路。

集成电路可分为双极集成电路和MOS集成电路，MOS集成电路又可分为

nMOS集成电路、pMOS集成电路和CMOS集成电路。

三、集成电路中的常用薄膜。

多晶硅

常用在MOS器件中作为栅电极。也可用于高电阻的电阻器，及局部电路的

短连线

二氧化硅

集成电路中使用的二氧化硅膜可分为热二氧化硅和CVD淀积二氧化硅两

类。在MOS集成电路中，它有以下几种用途：作为对付掺杂剂注入或扩散进硅

的掩膜，提供表面钝化，使器件一部分与一部分隔离，作为MOS器件的一个组

成部分（如栅介质），作为金属步线之间的电绝缘。

氮化硅

能阻挡钠离子的扩散，几乎不透潮气并具有很低的氧化速率。用低压CVD

（LPCVD）方法淀积的氮化硅膜，主要用作平面工艺的氧化掩膜；用等离子淀

积（PECVD）的氮化硅膜，能在较低温度下生成，可作为钝化保护层。

Al-Si-Cu

用在集成电路中作为金属互连线。

四、什么是刻蚀

集成电路的制造，需要将各种不同的元件（晶体管、电阻、电容）做在同

一块芯片上去，需要在芯片上做出不同的图形。把光刻确定的图形转移到构成器

件的薄膜上，把不需要的薄膜去除，这一过程称为刻蚀。

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什么是等离子体？

简而言之，等离子体是指电离的气体，是由电子、离子、原子和分子或自

由基团粒子的集合体。而这些原子和自由基团通常具有很强的化学活性，可以与

其它物质反应。

等离子刻蚀就是选用合适的气体，通过低压放电产生等离子体，利用其中

的活性原子和自由基团与硅片表面的薄膜反应，生成挥发性产物而被去除掉，从

而实现腐蚀的目的。

六、为什么要用等离子刻蚀？

集成电路的制造已从LSI（大规模集成电路）发展到了ULSI（甚大规模集

成电路）阶段，图形密度越来越高，加工线条越来越细，加工精度的要求也越来

越严格。传统的湿法腐蚀工艺由于存在着横向腐蚀大，条宽损失严重，均匀性差，

工艺控制难的缺点，无法实现现代集成电路生产的要求。现通常只用于无条宽要

求的图形腐蚀和大面积薄膜的剥离。

等离子刻蚀，特别是反应离子刻蚀（RIE），均匀性好，横向腐蚀少，可以

实现近乎垂直的腐蚀，条宽损失小，工艺重复性好，并且能够实现终点控制，易

控制，在现代集成电路的生产中得到广泛应用。

相对传统的湿法腐蚀工艺，等离子刻蚀亦可称为干法腐蚀。

常见腐蚀膜常用刻蚀气体

多晶硅Cl/He、Cl/HBr、CF、SF、HCl

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