3.5 实际晶体结构中的位错.ppt

(3)扩展位错的交滑移扩展位错同样可以在滑移面滑移运动，2个部分位错先后扫过后，相当于一个全位错扫过的作用。一个纯螺全位错是可以交滑移的，但是分解成扩展位错后在扩展状态下是不能进行交滑移的，因为部分位错离开层错所在的面会引起严重的错排，如果扩展位错要发生交滑移，一定是先束集成全螺位错。然后再由该位错交滑移到另一个滑移面上，并在新的滑移面上重新分解为扩展位错，继续滑移。显然扩展位错的交滑移比全位错的交滑移要困难的多，层错能越低（如铜），扩展位错越宽，束集越困难，交滑移越不容易。层错能高的金属（如铝和铁），扩展后容易束集，束集后又变为全位错，若是刃型位错可以攀移，螺型位错可以交滑移，而离开现在的滑移面，转到其他滑移面继续运动。在面上柏氏矢量为全位错分解：其中一小段束集成全位错。它交滑移到面上，然后再面再分解成扩展位错：随着在2个滑移面交线的2个结点沿交线向外延伸，可完成整根位错的交滑移。扩展位错的特点：（1）位于面上，由两条平行肖克利分位错中间夹着一片层错区组成。（2）柏氏矢量，b1和b2分别是两条肖克利分位错的柏氏矢量，它们的夹角是60o。（3）扩展位错可以是刃型、螺型或混合型，取决于b和肖克利分位错线的相对取向。（4）组成扩展位错的两个肖克利不全位错由于相互作用必然处于平行的位置，它们之间的距离就是（5）既然组成扩展位错的肖克利分位错只能滑移，不能攀移，扩展位错也就只能滑移，不能攀移。在滑移过程中领先的分位错滑移导致层错区扩大，跟踪的分位错滑移则导致层错区缩小，总效果是d保持不变，两个肖克利分位错作为一个整体而滑移，没有相对运动。（6）由于扩展位错滑移时需要两个分位错附近及层错区原子的同时位移，其所需外应力远大于使单个位错滑移所需的力，故滑移更困难。扩展位错的宽度⑦虽然带有肖克利分位错的扩展位错不能交滑移和攀移，但束集后的扩展位错却可以交滑移或攀移。束集条件是领先位错遇到障碍物而停止滑移，跟踪位错的外力作用下继续滑移，直到和领先位错重合，合成一个全位错。束集而成的全位错如果是刃型，则可攀移；如果是螺型，则可绕过障碍物而转入交滑移面上进行交滑移，并在随后分解为扩展位错。这样，扩展位错就从主滑移面转到了交滑移面。当然使位错束集是需要外力作功的，且扩展位错越宽，功越大，或者说，扩展位错越难束集，因而也就越难攀移或交滑移。因此在实际应用中为了提高FCC金属和合金的强度，特别是高温强度，一条有效地途径就是加入能降低密排面层错能的合金元素，以增加扩展位错的平衡宽度。这些元素都是置换式元素（即和基体金属形成置换式固溶体）并且择优分布在密排面上，形成所谓铃木气团，阻碍位错的滑移和攀移。六、形成位错网络的反应在FCC晶体中往往可以观察到有位错形成的网络，这种位错网络也是位错反应的产物。首先，假定在α面上有一个位错塞积群（一系列彼此平行的位错线），其柏氏矢量均为。又在δ面上有一螺型位错，其柏氏矢为，（即α面与δ面的交线）。（1）全位错网络其次，在螺型位错和林位错交点附近的位错线段由于很强的相互吸引力而合并，并发生以下位错反应：反应后形成的新位错线段沿方向，其柏氏矢量为反应后出现了柏氏矢量分别为相交于一点（节点）的组态，如果各位错的线张力的大小相同，则根据力的平衡条件，这三条位错线必须相交成120°的角，这样就得到了位于α面上的六角形全位错网络的三条位错线（2）扩展位错网络如果在FCC晶体的和面上各有一个柏氏矢量为b1=和b2=的全位错七、面角位错（压杆位错，L-C位错）且这两条位错线都平行于两滑移面的交线两全位错在各自的滑移面上发生分解，形成扩展位错。＋＋当两个扩展位错的领先不全位错和在外力作用下滑移至两滑移面的交线上并相遇时，可以合成一个新位错＋＋①几何条件：②能量条件：同时满足几何条件和能量条件，所以反应可以进行。新位错线的柏氏矢量b为因为位错线是两个密排面的交线所以位错线的方向指数可以根据晶带定律来计算所以新位错线的方向指数为b为根据夹角公式所以这个位错是纯刃型位错。因为位错线的滑移面是由位错线和其柏氏矢量共同决定的平面，设晶面为（hkl），根据晶带定律：所以其滑移面是(001),但是面心立方的滑移面应是，因此这个位错是固定位错，又称压杆位错。