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本发明公开了一种高温特性的半导体芯片加工工艺，属于半导体加工技术领域。一种高温特性的半导体芯片加工工艺，包括以下步骤：S1、准备阶段，S2、智能控制设计阶段，S3、清洗基片阶段，S4、图案形成和刻蚀阶段，S5、掺杂和离子注入阶段，S6、热氧化和生长阶段，S7、金属层制备阶段，S8、封装测试阶段，S9、环保处理阶段。该工艺中，在智能控制设计阶段根据实时监测数据和机器学习的优化模型，实现自适应调整高温加工设备的运行参数，在高温加工过程芯片内部和表面温度变化幅度超过阈值时，通过智能控制模块及时反馈给生
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117878020A
(43)申请公布日2024.04.12
(21)申请号202410060157.7
(22)申请日2024.01.16
(71)申请人广东省旭晟半导体股份有限公司
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