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本发明公开了一种MOS高边输出失效的二次保护装置及保护方法,涉及信号发生器电路设计技术领域,包括MOS管T1和二次保护电阻RT,其中,MOS管T1的漏极连接车辆系统电压VCC,二次保护电阻RT的上游连接所述MOS管T1的源极;当MOS管T1的一次保护为短路型失效,二次保护电阻RT的内阻发热,当二次保护电阻RT内阻发热至一定时长二次保护电阻RT断路,二次保护电阻RT内阻的发热时长为秒级时长。本发明通过设置短路保护时间滞后一次短路保护时间的二次电阻RT,同时通过采用额定电流大于MOS管T1一次保护的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117879560A
(43)申请公布日2024.04.12
(21)申请号202311788565.6
(22)申请日2023.12.22
(71)申请人无锡市稳先微电子有限公司
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