下入光式红外传感器元件及其制造方法.pdfVIP

下载本文档

0
0
约2.27万字
约 17页
2024-04-13 发布于四川
举报
版权申诉

下入光式红外传感器元件及其制造方法.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明的实施例公开了一种下入光式红外传感器元件及其制造方法，所述下入光式红外传感器元件包括至少一个化合物半导体叠层，能够检测波长大于等于1微米的红外线并输出表示该检测的电信号；含有IC电路的基板，所述IC电路对从半导体叠层输出的电信号进行处理并进行运算以获得检测结果；粘结层，所述粘结层将至少一个化合物半导体叠层键合到含有IC电路的基板上。所述至少一个化合物半导体叠层的电极与IC电路的引线端电连接，所述基板上设置有至少一个光学窗以允许入射光穿过进入到至少一个化合物半导体叠层中。本发明属于半导体技术

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN113629164A

(43)申请公布日2021.11.09

(21)申请号202110913917.0

(22)申请日2021.08.10

(71)申请人苏州矩阵光电有限公司