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本发明涉及GaN功率器件技术领域。具体涉及一种逆阻GaN功率器件及其制备方法。逆阻GaN功率器件包括：衬底层；外延结构，位于衬底层表面，包括在衬底层表面层叠设置的成核层、缓冲层、沟道层和势垒层；所述外延结构呈台阶结构；绝缘介质层；包括位于势垒层表面的第一绝缘介质层；混合漏极接触电极；混合漏极接触电极位于第一绝缘介质层的侧部，包括位于势垒层表面的水平部和与水平部一体成型的延伸部，延伸部覆盖外延结构的台阶部的侧部；势垒层与沟道层之间的界面间存在二维电子气，延伸部至少穿过二维电子气所在的平面。本发明提
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117878153A
(43)申请公布日2024.04.12
(21)申请号202311662322.8
(22)申请日2023.12.06
(71)申请人中国科学院半导体研究所
地址1
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