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本发明公开一种可进行四进制逻辑运算的多功能二维场效应晶体管,该多功能二维场效应晶体管通过以下方法制备:S1、采用机械剥离法获得多个WS2薄片;S2、将获得的WS2薄片分别转移到清洗干净的硅衬底上,选择具有两个原子层的WS2薄片;S3、使用标准电子束光刻工艺在步骤S2选择好的WS2薄片上图案化源电极和漏电极;光刻后,金属电极于高真空下在薄片上热蒸发,然后在丙酮中进行剥离工艺,以获得清晰的金属电极。本发明的场效应晶体管通过调节Vg、Vd以及光照强度能在同一个二维场效应晶体管进行四进制逻辑运算,光信号
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117878148A
(43)申请公布日2024.04.12
(21)申请号202310989319.0
(22)申请日2023.08.08
(30)优先权数据
2022-163959202
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